logo
Dayoo Advanced Ceramic Co.,Ltd
Producten
Producten
Thuis > Producten > Ceramisch Alumina > Hoogzuiver aluminiumoxide keramiek met een volumeweerstand van 10^4 Ohm*cm voor halfgeleidertoepassingen

Hoogzuiver aluminiumoxide keramiek met een volumeweerstand van 10^4 Ohm*cm voor halfgeleidertoepassingen

Productgegevens

Plaats van herkomst: Gemaakt in China, Zhejiang, Jinhua

Merknaam: Dayoo

Certificering: GB/T 19001-2016/ISO 9001:2015

Modelnummer: afhankelijk van het daadwerkelijke product

Betaling en verzendvoorwaarden

Min. bestelaantal: zoals onderhandeld en overeengekomen

Prijs: As Negotiated and Agreed

Verpakking Details: Karton, houten kist

Levertijd: afhankelijk van het daadwerkelijke product

Betalingscondities: FOB

Levering vermogen: fabriek

Vind de beste prijs
Markeren:

Hoogtemperatuur aluminium keramiek

,

Op maat gemaakte aluminium keramiek

,

Keramische aluminium van vierkante aard

Maat:
Aangepast
Oppervlakteafwerking:
Gepolijst
Vorm:
Aanpasbaar
Eigenschappen:
elektrische isolatie
Type:
keramische bal
Sollicitatie:
Industrieel keramiek
Thermische expansiecoëfficiënt:
8 x 10^-6 /K
Treksterkte:
250 MPa
Maximale bedrijfstemperatuur:
1800°C
Aluminiumoxide -inhoud:
92% en 95%
Buigsterkte:
350 MPa
Maximale gebruikstemperatuur:
1.400 ° C
Water Absorption:
0
Materiaal:
≥95% aluminiumoxidepoeder
Maat:
Aangepast
Oppervlakteafwerking:
Gepolijst
Vorm:
Aanpasbaar
Eigenschappen:
elektrische isolatie
Type:
keramische bal
Sollicitatie:
Industrieel keramiek
Thermische expansiecoëfficiënt:
8 x 10^-6 /K
Treksterkte:
250 MPa
Maximale bedrijfstemperatuur:
1800°C
Aluminiumoxide -inhoud:
92% en 95%
Buigsterkte:
350 MPa
Maximale gebruikstemperatuur:
1.400 ° C
Water Absorption:
0
Materiaal:
≥95% aluminiumoxidepoeder
Hoogzuiver aluminiumoxide keramiek met een volumeweerstand van 10^4 Ohm*cm voor halfgeleidertoepassingen

Aluminiumoxide Keramiek met een Volume Weerstand van 10^4 Ohm*cm voor Halfgeleider Toepassingen

 

Deze serie aluminiumoxide keramische componenten specifiek voor halfgeleiders wordt vervaardigd met 99,6% ultra-hoge zuiverheid Al₂O₃ materiaal door middel van precisie tape casting en sinterprocessen op hoge temperatuur. De producten vertonen uitstekende isolatie, corrosiebestendigheid en dimensionale stabiliteit, en voldoen aan de SEMI Standaard F47 reinheidseisen.

Primaire Halfgeleider Toepassingen

  • Wafer fabricage: Keramische onderdelen voor etsmachines, diffusieboten

  • Verpakking & testen: Substraten voor probe kaarten, test sockets

  • Apparatuurcomponenten: Robot eindeffectoren

  • Vacuümsystemen: Basissen voor elektrostatische chucks

  • Optische inspectie: Keramische geleiders voor lithografiemachines

Product Voordelen

✓ Ultra-rein: Metaaliongehalte <0.1ppm
✓ Precisie afmetingen: Tolerantie ±0.05mm/100mm
✓ Plasma bestendigheid: Ets snelheid <0.1μm/h
✓ Lage ontgassing: TML<0.1% CVCM<0.01%
✓ Hoge betrouwbaarheid: Doorstaat 1000 thermische cycli

Technische Specificaties

Parameter Specificatie Test Standaard
Materiaaldichtheid Al₂O₃≥95% GDMS
Volume Weerstand >10¹⁴Ω·cm ASTM D257
Diëlektrische Constante 9.8@1MHz IEC 60250
Buigsterkte ≥400MPa ISO 14704
CTE 7.2×10⁻⁶/°C DIN 51045
Oppervlakte Ruwheid Ra≤0.1μm ISO 4287
Ontgassing TML<0.1% ASTM E595

Halfgeleider Productieproces

  1. Materiaalsamenstelling:

    • Nano-grade Al₂O₃ poeder (D50≤0.5μm)

    • Hoge zuiverheid kogelmolen (Y₂O₃-MgO sinterhulpmiddelen)

  2. Vormingsproces:

    • Tape casting (dikte 0.1-5mm)

    • Isostatisch persen (200MPa)

  3. Sintering controle:

    • Meerfasige atmosfeersintering (1600°C/H₂)

    • HIP nabewerking (1500°C/150MPa)

  4. Precisie bewerking:

    • Laserbewerking (±5μm)

    • Ultrasoon boren (aspect ratio 10:1)

  5. Reinigen & inspectie:

    • Megasonische reiniging (Klasse 1 cleanroom)

    • SEMI F47 deeltjestest

Gebruiksrichtlijnen

⚠️ Opslag: Klasse 100 verpakking
⚠️ Installatieomgeving: 23±1°C RH45±5%
⚠️ Reiniging: Alleen oplosmiddelen van halfgeleiderkwaliteit
⚠️ Hantering: Vermijd direct contact met functionele oppervlakken

Halfgeleider Diensten

  • Reinigingsverificatie: VDA19 testrapporten

  • Foutanalyse: SEM/EDS microanalyse

  • Maatwerk ontwikkeling: DFM co-design

Veelgestelde Vragen

V: Hoe de reinheid van het wafer contactoppervlak te garanderen?
A: Drievoudige bescherming:
① Plasma oppervlakteactivering
② Vacuümverpakking + N₂ opslag
③ Voorafgaande ionisatie lucht reiniging

V: Prestaties in fluor-gebaseerd plasma?
A: Speciaal behandelde versie:
• Ets snelheid <0.05μm/h
• AlF₃ passivatielaag
• 3x langere levensduur

V: Maximale verwerkbare grootte?
A: Standaard 200×200mm, speciale bewerking tot 400×400mm.

 

Hoogzuiver aluminiumoxide keramiek met een volumeweerstand van 10^4 Ohm*cm voor halfgeleidertoepassingenHoogzuiver aluminiumoxide keramiek met een volumeweerstand van 10^4 Ohm*cm voor halfgeleidertoepassingenHoogzuiver aluminiumoxide keramiek met een volumeweerstand van 10^4 Ohm*cm voor halfgeleidertoepassingenHoogzuiver aluminiumoxide keramiek met een volumeweerstand van 10^4 Ohm*cm voor halfgeleidertoepassingen