logo
Dayoo Advanced Ceramic Co.,Ltd
producten
producten
Thuis > producten > Ceramisch Alumina > Hoogzuiver aluminiumoxide keramiek met een volumeweerstand van 10^4 Ohm*cm voor halfgeleidertoepassingen

Hoogzuiver aluminiumoxide keramiek met een volumeweerstand van 10^4 Ohm*cm voor halfgeleidertoepassingen

Productgegevens

Plaats van herkomst: Gemaakt in China

Merknaam: Dayoo

Betaling en verzendvoorwaarden

Min. bestelaantal: Bespreekbaar

Prijs: Onderhandelbaar

Levertijd: Bespreekbaar

Betalingscondities: Onderhandelbaar

Vind de beste prijs
Markeren:

Hoogtemperatuur aluminium keramiek

,

Op maat gemaakte aluminium keramiek

,

Keramische aluminium van vierkante aard

Zuiverheid:
96%, 99%
Materialen:
92% aluminiumoxide poeder
Maat:
Aangepast
Oppervlakte -afwerking:
Gepolijst
Vorm:
Aanpasbaar
Eigenschappen:
elektrische isolatie
Type:
keramische bal
Sollicitatie:
Industrieel keramisch
Thermische expansiecoëfficiënt:
8 x 10^-6 /K
Treksterkte:
250 MPa
Max bedrijfstemperatuur:
1800 ° C
Aluminiumoxide -inhoud:
92% en 95%
Buigsterkte:
350 MPa
Maximale gebruikstemperatuur:
1.400 ° C
Water Absorption:
0
Zuiverheid:
96%, 99%
Materialen:
92% aluminiumoxide poeder
Maat:
Aangepast
Oppervlakte -afwerking:
Gepolijst
Vorm:
Aanpasbaar
Eigenschappen:
elektrische isolatie
Type:
keramische bal
Sollicitatie:
Industrieel keramisch
Thermische expansiecoëfficiënt:
8 x 10^-6 /K
Treksterkte:
250 MPa
Max bedrijfstemperatuur:
1800 ° C
Aluminiumoxide -inhoud:
92% en 95%
Buigsterkte:
350 MPa
Maximale gebruikstemperatuur:
1.400 ° C
Water Absorption:
0
Hoogzuiver aluminiumoxide keramiek met een volumeweerstand van 10^4 Ohm*cm voor halfgeleidertoepassingen

Alumina keramiek met hoge zuiverheid met volumeweerstand van 10⁴ Ohm*cm voor halfgeleidertoepassingen

 

Deze serie halfgeleider-specifieke alumina keramische componenten worden vervaardigd met behulp van 99,6% ultra-hoge zuiverheid Al₂O₃ materiaal door middel van precisie tape casting en hoge temperatuur sinterprocessen. De producten vertonen uitstekende isolatie, corrosiebestendigheid en dimensionale stabiliteit, en voldoen aan de SEMI Standard F47 reinheidseisen.

Primaire halfgeleidertoepassingen

  • Waferfabricage: Etsmachine keramische onderdelen, diffusieboten

  • Verpakking & testen: Probe card substraten, testsockets

  • Apparatuurcomponenten: Robot eindeffectoren

  • Vacuümsystemen: Elektrostatische chuck bases

  • Optische inspectie: Lithografiemachine keramische geleiders

Productvoordelen

✓ Ultra-schoon: Metaaliongehalte <0,1 ppm
✓ Precisie afmetingen: Tolerantie ±0,05 mm/100 mm
✓ Plasmabestendigheid: Etsnelheid <0,1 μm/u
✓ Lage uitgassing: TML<0,1% CVCM<0,01%
✓ Hoge betrouwbaarheid: Slaagt voor 1000 thermische cycli

Technische specificaties

Parameter Specificatie Teststandaard
Materiaalsuiverheid Al₂O₃≥99,6% GDMS
Volumeweerstand >10¹⁴Ω·cm ASTM D257
Diëlektrische constante 9,8@1MHz IEC 60250
Buigsterkte ≥400MPa ISO 14704
CTE 7,2×10⁻⁶/°C DIN 51045
Oppervlakteruwheid Ra≤0,1μm ISO 4287
Uitgassing TML<0,1% ASTM E595

Halfgeleiderproductieproces

  1. Materiaalinbereiding:

    • Nano-grade Al₂O₃ poeder (D50≤0,5μm)

    • Hoge zuiverheid kogelmaling (Y₂O₃-MgO sinterhulpmiddelen)

  2. Vormingsproces:

    • Tape casting (dikte 0,1-5 mm)

    • Isostatisch persen (200 MPa)

  3. Sintercontrole:

    • Meerfasige atmosfeersintering (1600°C/H₂)

    • HIP nabehandeling (1500°C/150MPa)

  4. Precisie bewerking:

    • Laserbewerking (±5μm)

    • Ultrasoon boren (aspect ratio 10:1)

  5. Reiniging & inspectie:

    • Megasonische reiniging (Klasse 1 cleanroom)

    • SEMI F47 deeltjestesten

Gebruiksrichtlijnen

⚠️ Opslag: Klasse 100 schone verpakking
⚠️ Installatieomgeving: 23±1°C RV45±5%
⚠️ Reiniging: Alleen halfgeleider-grade oplosmiddelen
⚠️ Hantering: Vermijd direct contact met functionele oppervlakken

Halfgeleiderdiensten

  • Reinigheidsverificatie: VDA19 testrapporten

  • Foutenanalyse: SEM/EDS microanalyse

  • Maatwerkontwikkeling: DFM co-design

FAQ

V: Hoe de reinheid van het wafercontactoppervlak te waarborgen?
A: Driedubbele bescherming:
① Plasma oppervlakte-activering
② Vacuümverpakking + N₂ opslag
③ Geïoniseerde lucht reiniging vóór installatie

V: Prestaties in fluor-gebaseerd plasma?
A: Speciaal behandelde versie:
• Etsnelheid <0,05μm/u
• AlF₃ passivatielaag
• 3x langere levensduur

V: Maximale verwerkbare grootte?
A: Standaard 200×200 mm, speciaal proces tot 400×400 mm.

 

Hoogzuiver aluminiumoxide keramiek met een volumeweerstand van 10^4 Ohm*cm voor halfgeleidertoepassingen 0Hoogzuiver aluminiumoxide keramiek met een volumeweerstand van 10^4 Ohm*cm voor halfgeleidertoepassingen 1Hoogzuiver aluminiumoxide keramiek met een volumeweerstand van 10^4 Ohm*cm voor halfgeleidertoepassingen 2Hoogzuiver aluminiumoxide keramiek met een volumeweerstand van 10^4 Ohm*cm voor halfgeleidertoepassingen 3